Nữ sinh 18 tuổi phát minh cách sạc pin trong 30 giây

Nữ sinh 18 tuổi Eesha Khare đã giành được số tiền thưởng lên tới 50.000 USD nhờ phát minh hết sức độc đáo về công nghệ sạc pin.
Tại cuộc thi Intel International Science & Engineering Fair vừa diễn ra do tập đoàn Intel tổ chức, nữ sinh 18 tuổi Eesha Khare đã giành được giải nhì với danh hiệu Intel Foundation Young Scientist Award nhờ phát minh hết sức độc đáo.

Khare đã sáng tạo ra công nghệ pin mới có tích hợp một thành phần đặc biệt, nhờ đó khi sạc điện thoại di động, người dùng chỉ mất… 30 giây hoặc thậm chí ít hơn.

Với phát minh kể trên, nữ sinh 18 tuổi đã xứng đáng giành được số tiền thưởng lên tới 50.000 USD từ nhà tổ chức.

Phía Intel kỳ vọng sáng chế của Khare có thể ứng dụng hiệu quả cho pin xe hơi trong tương lai.

Giải nhất tại cuộc thi nói trên trị giá 75.000 USD đã thuộc về một nam sinh 19 tuổi nhờ phát minh mới của cậu có liên quan tới công nghệ tự lái xe hơi./.

Văn Hưng (Vietnam+)

Tin cùng chuyên mục