Công ty Teledyne e2v cung cấp các bộ nhớ DDR4 mật độ siêu cao, có khả năng chịu bức xạ cấp không gian

GRENOBLE, PHÁP- Media OutReach – Bộ nhớ DDR4 mật độ siêu cao của Teledyne e2v vẫn tiếp tục được phát triển b, với thông tin rằng,các mẫu thiết bị bay hiện đang được chuyển đến các khách hàng quan trọng trên khắp thế giới. Bộ nhớ biểu thị một bước tiến lớn trong dự án đột phá – sau khi lấy mẫu thành công đã dẫn đến hoạt động thiết kế trong phạm vi rộng rãi và áp dụng công nghệ này. Do đó, công ty hiện đang chuyển sang giai đoạn sản xuất hàng loạt, với các loại DDR4 có khả năng chịu bức xạ cấp không gian.

Với dung lượng lưu trữ 4GByte và kích thước chỉ 15mm x 20mm x 1,92mm, các bộ nhớ DDR4 của Teledyne e2v thể hiện mật độ lưu trữ cao hơn nhiều so với các giải pháp cạnh tranh – chỉ chiếm một nửa dung lượng PCB và gần như chỉ một lượng nhỏ hơn. Với việc duy trì hiệu suất cao một cách liên tục, các bộ nhớ DDR4 mang lại tốc độ truyền dữ liệu 2,4GT/s.

Được cung cấp ở định dạng gói đa chip (multi-chip package: MCP), mỗi bộ nhớ DDR4T04G72 của Teledyne e2v có khả năng mở rộng bus, trong đó 64bit được chỉ định để truyền dữ liệu và thêm 8bit để sửa lỗi. DDR4T04G72 là thiết bị đồng hành tối ưu cho bộ xử lý Qormino® của riêng Teledyne e2v và cũng tương thích với đại đa số bộ xử lý, SoC và FPGAđến từ các nhà cung cấp khác.

Nhờ cấu trúc có độ tin cậy cao và khả năng chịu bức xạ cao, các thiết bị này sẽ là nguồn tài nguyên quan trọng cho các nền tảng điện toán biên triển khai trong không gian. Thử nghiệm bức xạ và mô tả đặc tính được thực hiện trên các bộ nhớ DDR4 này cho thấy rằng, ngưỡng chốt sự kiện duy nhất (single event latch-up: SEL) của các thiết bị này lớn hơn 60MeV.cm²/mg. Dữ liệu về rối loạn sự kiện đơn lẻ ( single event upset – SEU) và dữ liệu gián đoạn chức năng sự kiện đơn lẻ (single event function interrupt – SEFI) của các thiết bị này cũng vượt quá 60MeV.cm² / mg và đã chứng minh khả năng phục hồi đối với tổng liều ion hóa (total ionizing dose – TID) 100krad.

Các bộ nhớ DDR4 của Teledyne e2v có thể được đặt hàng ở cả phạm vi nhiệt độ công nghiệp (-40 ° C đến 105 ° C) và nhiệt độ quân sự (-55 ° C đến 125 ° C) và lên đến Cấp 1 của NASA (dựa trên NASA EEE-INST- 002 – Phần M4 – PEM). Điều này có nghĩa là các bộ nhớ này có thể giải quyết được nhiều ứng dụng tiềm năng hơn.

Ông Thomas Guillemain, Giám đốc Tiếp thị & Phát triển kinh doanh của Teledyne e2v cho biết: “Chúng tôi được công nhận là dẫn đầu trong lĩnh vực bộ nhớ chịu bức xạ mật độ cao cho các ứng dụng không gian và công nghệ đã được thị trường đón nhận một cách đáng kinh ngạc. Điều khác biệt giữa chúng tôi với các đối thủ là gói dữ liệu mở và toàn diện mà chúng tôi đưa ra, cung cấp cho khách hàng mọi thứ họ yêu cầu để bắt đầu thiết kế và hoàn thành chúng trong khung thời gian ngắn nhất có thể, với tất cả thông tin cơ bản và hỗ trợ kỹ thuật chuyên gia luôn sẵn sàng. Ngành công nghiệp vũ trụ được giới thiệu với nguồn cung cấp bộ nhớ nhỏ gọn, dễ giao diện đảm bảo giúp nâng cao tiêu chuẩn hiệu suất. Chúng tôi đang đạt được bước tiến lớn trong giai đoạn tiếp theo trong lộ trình của mình, với các thế hệ thiết bị công suất cao hơn khác hiện đang được triển khai”.

Thông tin về Teledyne e2v

Những đổi mới của Teledyne e2v dẫn đầu sự phát triển trong lĩnh vực chăm sóc sức khỏe, khoa học sự sống, không gian, giao thông – vận tải, quốc phòng – an ninh và thị trường công nghiệp. Phương pháp tiếp cận độc đáo của Teledyne e2v bao gồm việc lắng nghe thị trường và những thách thức ứng dụng của khách hàng và hợp tác với họ để cung cấp các giải pháp tiêu chuẩn sáng tạo, bán tùy chỉnh hoặc hoàn toàn tùy chỉnh, mang lại giá trị gia tăng cho hệ thống của họ.

Trang Web: https://semiconductors.teledyneimaging.com/en/home/

#Teledynee2v