Theo số liệu của công ty phân tích ngành bán dẫn Counterpoint Research công bố ngày 9/4, SK Hynix chiếm 36% thị phần toàn cầu DRAM về mặt doanh số, vượt lên trên Samsung Electronics Co (34%).
Đơn đặt hàng OEM từ các nhà sản xuất máy tính và điện thoại thông minh cùng những khách hàng trong phân khúc trung tâm dữ liệu là động lực thúc đẩy nhu cầu NAND flash.
Công ty sản xuất chip lớn thứ hai thế giới SK Hynix sẽ mua lại “mảng” chip NAND ngoại trừ thương hiệu Optane, bao gồm nhà máy của Intel tại Đại Liên (Trung Quốc) với giá 10.300 tỷ won.
Thị phần của Samsung Electronics trên thị trường DRAM toàn cầu đứng ở mức 43,5% trong quý cuối cùng của năm 2019, giảm 1,6 điểm phần trăm so với quý trước đó.
Giá DRAM DDR4 dung lượng 8GB giao ngay đã tăng lên 3,34 USD/chip tính đến ngày 17/1, đây là một thông tin tích cực đối với các nhà sản xuất chip Hàn Quốc..
Công ty theo dõi thị trường DRAMeXchange thuộc TrendForce, ngày 24/4 cho biết giá sản phẩm chip nhớ truy cập ngẫu nhiên động DRAM cho máy tính tiếp tục giảm trong năm nay do nhu cầu chậm lại.
Theo các nhà phân tích, Samsung Electronics có kết quả kinh doanh yếu hơn trong quý 4 so với cùng kỳ năm ngoái do sự tăng trưởng chậm lại của mảng kinh doanh chip.
DRAM 8Gb có tốc độ lên tới 6.400 Mb/s, nhanh hơn 1,5 lần so với với thế hệ chíp LPDDR4X DRAM đang được sử dụng trong các thiết bị điện thoại thông minh đầu bảng hiện nay.
Tổ chức thống kê về hoạt động thương mại trong ngành bán dẫn thế giới (WSTS) dự báo doanh số bán chip trên quy mô toàn cầu sẽ đạt mức 451 tỷ USD trong năm nay.
Theo công ty nghiên cứu thị trường IHS Markit, ngoài mức tăng trưởng chậm lại dự kiến diễn ra trong năm 2018, giá bán trung bình của chip máy tính có thể giảm dù doanh số tăng.
Ngày 18/7, hãng Samsung Electronics Co của Hàn Quốc cho biết hãng sẽ tăng cường sản xuất bộ nhớ động truy cập ngẫu nhiên (DRAM) hiệu năng cao cho hệ thống trí tuệ nhân tạo (AI).
Tập đoàn công nghệ bán dẫn hàng đầu thế giới Micro Technology cho biết sẽ đầu tư 1 tỷ USD để tăng sản lượng tại nhà máy chế tạo thẻ nhớ bán dẫn tại Hiroshima.