Ngày 1/2, tập đoàn điện tử Samsung của Hàn Quốc, nhà sản xuất chip và tivi màn hình phẳng lớn nhất thế giới, tuyên bố hãng này đã sản xuất chip bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) tiên tiến nhất bằng quy trình công nghệ 30nm.
Samsung cho biết quy trình công nghệ 30nm, khi ứng dụng để sản xuất hàng loạt DDR3, có thể giúp tăng năng suất lên 60% so với chip DRAM sử dụng công nghệ 40nm trong khi lại giảm điện năng tiêu thụ xuống tới 30% so với chip sử dụng công nghệ 50nm.
Trong thông cáo báo chí, trưởng bộ phận phục trách chip bộ nhớ của Samsung Choo Soo-in cho hay: “Công nghệ xử lý 30nm ngày hôm nay sẽ đem lại DDR3 tiêu thụ điện năng thấp tiên tiến nhất và ở đó sẽ có các giải pháp DRAM hiệu quả nhất để sản xuất các thiết bị điện tử dân dụng và hệ thống máy chủ.”
Samsung cho biết công nghệ mới trên sẽ bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2010 và dự kiến sẽ ứng dụng cho các sản phẩm bao gồm các máy chủ, máy vi tính và các thiết bị di động./.
Samsung cho biết quy trình công nghệ 30nm, khi ứng dụng để sản xuất hàng loạt DDR3, có thể giúp tăng năng suất lên 60% so với chip DRAM sử dụng công nghệ 40nm trong khi lại giảm điện năng tiêu thụ xuống tới 30% so với chip sử dụng công nghệ 50nm.
Trong thông cáo báo chí, trưởng bộ phận phục trách chip bộ nhớ của Samsung Choo Soo-in cho hay: “Công nghệ xử lý 30nm ngày hôm nay sẽ đem lại DDR3 tiêu thụ điện năng thấp tiên tiến nhất và ở đó sẽ có các giải pháp DRAM hiệu quả nhất để sản xuất các thiết bị điện tử dân dụng và hệ thống máy chủ.”
Samsung cho biết công nghệ mới trên sẽ bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2010 và dự kiến sẽ ứng dụng cho các sản phẩm bao gồm các máy chủ, máy vi tính và các thiết bị di động./.
Huy Bình (Vietnam+)
