GRENOBLE, PHÁP – Media OutReach – Ngày 25 tháng 5 năm 2020 – Công ty Teledyne e2v vừa giới thiệu DDR4T04G72M – chip bộ nhớ DDR4 chịu bức xạ đầu tiên, có tổng dung lượng 4GB. Hiện tại được xác thực ở mức 2133MT / giây và nhắm mục tiêu cung cấp 2400MT / giây trong tương lai gần, giải pháp thế hệ tiếp theo này cung cấp hoạt động có độ trễ cực thấp, trong khi phù hợp với một yếu tố hình thức rất nhỏ gọn. Hơn nữa, việc sản xuất có độ tin cậy cao và độ bền chịu bức xạ làm cho chip bộ nhớ này rất phù hợp để đối phó với sự khắc nghiệt của môi trường không gian, vũ trụ.
Với kích thước 15mm x 20mm x 1,92mm, thiết bị cấp không gian mới này bao gồm một loạt chip nhớ dựa trên Micron, được tích hợp trong một gói duy nhất. Chip bộ nhớ DDR4 này có tính năng bus 72 bit, trong đó 64 bit dành riêng cho dữ liệu và 8 bit cho mã sửa lỗi (error correction code – ECC).
Các thử nghiệm phóng xạ đã được thực hiện trên các chip bộ nhớ này và một báo cáo hiệu ứng sự kiện (single event effects – SEE) có sẵn từ Teledyne e2v. Đặc biệt, bộ nhớ đã được chứng minh có sức chịu đựng một sự kiện ngắn mạch đơn lẻ (single event latch-up – SEL) lên tới 60 + MeV.cm2 / mg.
Một sự kiện ngắn mạch đơn lẻ (SEL) là hiện tượng ngắn mạch gây ra bởi một hạt ion hóa đơn (ion, electron, photon…) đập vào một nút nhạy cảm trong một thiết bị điện tử vi mô, như trong bộ vi xử lý, bộ nhớ bán dẫn hoặc bóng bán dẫn điện.
Bộ nhớ DDR4 cấp không gian mới này cho phép nâng cao hiệu suất, đồng thời chiếm lĩnh tối thiểu diện tích bảng mạch- một đặc tính có giá trị cao trong các thiết kế vệ tinh dày đặc, bị hạn chế về không gian. Bộ nhớ có thể được sử dụng cùng với các bộ xử lý và các FPGA (Field-programmable gate array – FPGA là một loại mạch tích hợp cỡ lớn dùng cấu trúc mảng phần tử logic mà người dùng có thể lập trình được) có bộ điều khiển DDR4 và đặc biệt được nhúng trên Teledyne e2v Space version of Qormino® Common Compute Platform (tạm dịch Phiên bản không gian của Nền tảng tính toán chung Qormino® của Teledyne e2v) cùng với phiên bản không gian của bộ xử lý lõi tứ NXP LS1046 (QLS1046-4GB).
Công nghệ đóng gói được tăng cường nhiệt giúp tăng tốc độ tản nhiệt, nhằm duy trì độ tin cậy hoạt động liên tục. Mô hình bay sẽ có sẵn trong phạm vi nhiệt độ mở rộng từ -55 ° C đến 125 ° C. Nó phù hợp với NASA Cấp 1 (NASA EEE-INST-002 – Phần M4 – PEMs) và ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C).
Ông Thomas Guillemain, Giám đốc Phát triển Kinh doanh & Tiếp thị của Teledyne e2V, cho biết: “Sự kết hợp giữa khả năng chịu bức xạ, cấu trúc chắc chắn và yếu tố hình thức nhỏ, làm cho bộ nhớ DDR4 4GB này trở thành một giải pháp rất hấp dẫn để tích hợp vào các hệ thống định hướng không gian. Bộ nhớ DDR4 cấp không gian này cung cấp đường dẫn chuyển tiếp sang các thế hệ thiết bị xử lý mới hơn, theo yêu cầu của các ứng dụng không gian chuyên sâu”.
Thông tin về Teledyne e2v
Teledyne e2v là doanh nghiệp hàng đầu thế giới trong việc phát triển các giải pháp sáng tạo trong lĩnh vực chăm sóc sức khỏe, khoa học đời sống, không gian, giao thông, quốc phòng và an ninh và thị trường công nghiệp. Cách tiếp cận độc đáo của Teledyne e2v liên quan đến việc lắng nghe các thách thức về thị trường và ứng dụng của khách hàng và hợp tác với họ để cung cấp các giải pháp tiêu chuẩn, bán tùy chỉnh hoặc hoàn toàn tùy chỉnh, mang lại giá trị gia tăng cho hệ thống của họ.
Website: www.teledyne-e2v.com/products/semiconductors
Để biết thêm thông tin, hãy truy cập: https://www.teledyne-e2v.com/ddr4t04g72m
