Nữ sinh 18 tuổi phát minh cách sạc pin trong 30 giây

Nữ sinh 18 tuổi Eesha Khare đã giành được số tiền thưởng lên tới 50.000 USD nhờ phát minh hết sức độc đáo về công nghệ sạc pin.
Tại cuộc thi Intel International Science & Engineering Fair vừa diễn ra do tậpđoàn Intel tổ chức, nữ sinh 18 tuổi Eesha Khare đã giành được giải nhìvới danh hiệu Intel Foundation Young Scientist Award nhờ phát minh hết sức độcđáo.

Khare đã sáng tạo ra công nghệ pin mới có tích hợp một thành phầnđặc biệt, nhờ đó khi sạc điện thoại di động, người dùng chỉ mất… 30 giây hoặcthậm chí ít hơn.

Với phát minh kể trên, nữ sinh 18 tuổi đã xứng đáng giành được số tiềnthưởng lên tới 50.000 USD từ nhà tổ chức.

Phía Intel kỳ vọng sáng chế của Khare có thể ứng dụng hiệu quả cho pin xehơi trong tương lai.

Giải nhất tại cuộc thi nói trên trị giá 75.000 USD đã thuộc về một namsinh 19 tuổi nhờ phát minh mới của cậu có liên quan tới công nghệ tự lái xehơi./.

Văn Hưng (Vietnam+)

Tin cùng chuyên mục

Ông Robert Bell, Đồng sáng lập ICF 2025 phát biểu tại Hội nghị Thượng đỉnh ICF 2025 tại Thành phố Hồ Chí Minh. (Ảnh: PV/Vietnam+)

Thành phố Hồ Chí Minh trên đường đua “kép”: Kế thừa Bình Dương để kiến tạo tương lai Số và Xanh

Thành phố Hồ Chí Minh đang nỗ lực hiện thực hóa mục tiêu trở thành siêu đô thị thông minh, hành trình “chuyển đổi kép” – đồng thời thúc đẩy chuyển đổi số và chuyển đổi xanh. Bài toán tưởng chừng đầy thách thức này lại có một “lời giải mẫu” ngay trong không gian mở rộng của thành phố: Mô hình phát triển từng giúp Bình Dương trở thành Cộng đồng Thông minh Toàn cầu của năm 2023.