Ngày 20/2, nhà sản xuất chip Kioxia Holdings của Nhật Bản thông báo đã phát triển công nghệ bộ nhớ flash NAND có dung lượng lưu trữ cao hơn và tốc độ xử lý nhanh hơn 33% nhằm đáp ứng nhu cầu mạnh mẽ của các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI).
Theo phóng viên TTXVN tại Tokyo, trong tuyên bố cùng đối tác Sandisk của Mỹ, Kioxia cho biết so với công nghệ 218 lớp thế hệ thứ 8 hiện đang được sản xuất hàng loạt, công nghệ 332 lớp thế hệ thứ 10 có mật độ bit lưu trữ dữ liệu cao hơn 59%.
Công nghệ mới cũng tiêu thụ ít điện hơn nên làm tăng hiệu suất năng lượng lên 10% cho dữ liệu đầu vào và 34% cho dữ liệu đầu ra.
Kioxia cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ flash tại Nhật Bản nhưng chưa đưa ra mốc thời gian cụ thể. Hiện các đối thủ cạnh tranh cũng đang phát triển công nghệ bộ nhớ flash trên 300 lớp.
Bộ nhớ flash NAND được cải thiện đáng kể về hiệu suất hoạt động thông qua cách xếp chồng các ô nhớ theo lớp. Tuy nhiên, chi phí để sản xuất bộ nhớ này hiện vẫn khá cao, tạo ra thách thức không nhỏ.
Công ty Kioxia cho biết đang phát triển bộ nhớ flash thế hệ 9, kết hợp công nghệ ô nhớ hiện có với một công nghệ mới nhằm cải thiện hiệu suất đọc và ghi dữ liệu.
Flash là loại bộ nhớ không cần nguồn điện để duy trì dữ liệu với tốc độ đọc-ghi nhanh chóng. Đây là loại bộ nhớ rất phổ biến hiện nay./.
Khan hiếm nguồn cung chip bộ nhớ hiệu suất cao kéo dài đến hết năm nay
Theo dữ liệu của SK Hynix và Micron - hai nhà cung cấp lớn nhất thế giới về chip bộ nhớ, chip bộ nhớ hiệu suất cao gần như trong tình trạng “cháy hàng.”
