Một nhóm nghiên cứu Trung Quốc vừa chế tạo thành công thiết bị bộ nhớ flash mang tính đột phá mang tên PoX, có khả năng lưu trữ dữ liệu với tốc độ 1 bit trong 400 pico giây.
Đây là thiết bị lưu trữ bán dẫn nhanh nhất từng được công bố.
Bộ nhớ điện tĩnh của thiết bị này vượt trội hơn công nghệ bộ nhớ bay hơi nhanh nhất hiện nay, vốn cần khoảng 1 đến 10 nano giây để lưu trữ 1 bit dữ liệu. Một pico giây bằng khoảng một phần nghìn nano giây hay một phần nghìn tỷ giây.
Các loại bộ nhớ bay hơi như SRAM hay DRAM sẽ mất dữ liệu khi mất nguồn cấp điện, không phù hợp với các hệ thống tiêu thụ điện năng thấp.
Ngược lại, các loại bộ nhớ điện tĩnh như flash (loại bộ nhớ không cần nguồn điện để duy trì dữ liệu với tốc độ đọc/ghi nhanh), dù tiết kiệm năng lượng nhưng lại không đáp ứng được yêu cầu truy cập tốc độ cao của trí tuệ nhân tạo (AI).
Các nhà nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán đã phát triển một bộ nhớ flash sử dụng graphene Dirac hai chiều với một cơ chế hoàn toàn mới, phá vỡ giới hạn tốc độ của lưu trữ và truy cập thông tin bộ nhớ điện tĩnh. Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí Nature ngày 16/4.
Theo ý kiến chuyên gia của tạp chí, đây là công trình nghiên cứu hoàn toàn mới, mang tính đột phá cao đủ để định hình tương lai đầy tiềm năng cho thế hệ bộ nhớ flash tốc độ cao.
Trưởng nhóm nghiên cứu của Đại học Phúc Đán, Zhou Peng, cho biết nhờ việc sử dụng các thuật toán AI để tối ưu hóa điều kiện thử nghiệm của quá trình, nhóm đã phát triển công nghệ vượt bậc và mở ra triển vọng ứng dụng trong tương lai./.
Nhật Bản "gây sốc" với bộ nhớ flash có tốc độ siêu nhanh
Kioxia Holdings phát triển công nghệ bộ nhớ flash NAND có dung lượng lưu trữ cao hơn và tốc độ xử lý nhanh hơn 33% nhằm đáp ứng nhu cầu mạnh mẽ của các trung tâm dữ liệu AI.
